品牌:
IXYS Semiconductor(4)
多选
封装:
TO-268-3(4)
包装:
Tube(4)
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 封装:
    TO-268-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    Igbt 1700V 60A 250W To268
    4644
    1-9
    237.9465
    10-49
    231.7392
    50-99
    226.9803
    100-199
    225.3250
    200-499
    224.0835
    500-999
    222.4283
    1000-1999
    221.3937
    ≥2000
    220.3592
  • 封装:
    TO-268-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3Pin(2+Tab) TO-268
    5551
    1-9
    78.5335
    10-99
    75.1190
    100-249
    74.5044
    250-499
    74.0264
    500-999
    73.2752
    1000-2499
    72.9337
    2500-4999
    72.4557
    ≥5000
    72.0460
  • 封装:
    TO-268-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 900V 165A 830W TO268
    3625
    1-9
    85.9050
    10-99
    82.1700
    100-249
    81.4977
    250-499
    80.9748
    500-999
    80.1531
    1000-2499
    79.7796
    2500-4999
    79.2567
    ≥5000
    78.8085
  • 品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    7827
    5-49
    21.2940
    50-199
    20.3840
    200-499
    19.8744
    500-999
    19.7470
    1000-2499
    19.6196
    2500-4999
    19.4740
    5000-7499
    19.3830
    ≥7500
    19.2920

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